[发明专利]基于应变硅技术的P沟VDMOS器件无效
| 申请号： | 201010116769.1 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101789448A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘道广;万欣;严利人;郑君 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件结构范围的一种基于应变硅沟道的P沟VDMOS器件。是在VDMOS结构晶体管的结构基础上增加一层应变层，该应变层位于外延硅层与栅氧化层之间，在p型沟道区上表面生长的一层应变层，使形成的p型沟道区产生应变；其中应变层采用SiGe和Si生长得到。本发明的P沟VDMOS不改变版图，保留绝大部分常规的工艺步骤，仅仅增加了几道形成应变硅的工艺步骤，就可以大幅度提高P沟VDMOS的沟道迁移率，从而大大降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应变 技术 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种基于应变硅技术的P沟VDMOS晶体管，其特征在于，在器件制造过程中增加一层应变层，该应变层位于外延硅层与栅氧化层之间，在p型沟道区上表面生长一层应变层，使形成的p型沟道区产生应变。
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