[发明专利]磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器有效
| 申请号： | 201010116951.7 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101834271A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 南策文;李峥;舒立;胡嘉冕;王婧;马静;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 随机 存储 单元 具有 存储器 | ||
【主权项】：
一种磁电随机存储单元，其特征在于，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。
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