[发明专利]多接面太阳能电池无效
| 申请号： | 201010117014.3 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148266A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈泽澎 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0368;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 魏晓刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一多接面太阳能电池结构及其制造方法，包括依序形成一第一光伏接面结构及一第二光伏接面结构；所述的第一光伏接面结构及第二光伏接面结构的至少其中之一包括一不连续光电转换结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多接面 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一多接面太阳能电池包括：一支撑体；一第一光伏接面结构位于该支撑体上，用以吸收第一波长范围的光线转换产生第一电流值；及一第二光伏接面结构位于该第一光伏接面结构上，晶格不匹配于第一光伏接面结构，用以吸收相异于第一波长范围的第二波长范围的光线转换产生第二电流值；其中，至少一部分的该第一光伏接面结构或一部分的该第二光伏接面结构包括一不连续光电转换结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
