[发明专利]PMMA/DR1聚合物改性薄膜的多针电晕极化场结构无效

专利信息
申请号: 201010117403.6 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN101776831A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 周建华;黄李琳;王菁;游佰强;熊兆贤;林伟峰;童朝健 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35;G02F1/365
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: PMMA/DR1聚合物改性薄膜的多针电晕极化场结构,涉及一种多针电晕极化场结构。提供一种能在均匀化电晕极化场的同时降低极化电压,且在极化电压不变的情况下能够提高极化效率的PMMA/DR1聚合物改性薄膜的多针电晕极化场结构。设有4针电极排布,外围的两针电极对称放置在边缘,内层的两针电极对称放置于中心两边,外围针电极到内层针电极的距离为10~12mm;极化场中电极的电压为3~4kV,薄膜上的底电极接地,电位为0V;针电极与底电极之间的距离a采用目前电晕极化中普遍使用的10mm,a与底电极的尺寸b成1∶3~1∶4。
搜索关键词: pmma dr1 聚合物 改性 薄膜 电晕 极化 结构
【主权项】:
PMMA/DR1聚合物改性薄膜的多针电晕极化场结构,其特征在于设有4针电极排布,外围的两针电极对称放置在边缘,内层的两针电极对称放置于中心两边,外围针电极到内层针电极的距离为10~12mm;极化场中电极的电压为3~4kV,薄膜上的底电极接地,电位为0V;针电极与底电极之间的距离a采用目前电晕极化中普遍使用的10mm,a与底电极的尺寸b成1∶3~1∶4。
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