[发明专利]用于评价改善负偏压下温度不稳定性效应工艺效果的方法

摘要

本发明提出了一种用于评价改善负偏压下温度不稳定性效应工艺效果的方法，包括下列步骤：a：对多个具有相同参数的第一半导体器件分别实施多个不同的改善负偏压下温度不稳定性效应的工艺；b：对第一半导体器件施加一段时间的大小相同的应力；c：判定第一半导体器件是否到达报废值，当第一半导体器件未到达报废值时，返回步骤b；当第一半导体器件到达报废值时停止对第一半导体器件施加应力，进入步骤d；d：选取对于最晚到达报废值的第一半导体器件所施加的改善负偏压下温度不稳定性效应的工艺为多个工艺中的最优工艺。

主权项

一种用于评价改善负偏压下温度不稳定性效应工艺效果的方法，包括下列步骤：a：对多个具有相同参数的第一半导体器件分别实施多个不同的改善负偏压下温度不稳定性效应的工艺；b：对所述第一半导体器件施加一段时间t的大小相同的应力；c：判定所述第一半导体器件是否到达报废值P(t)，当所述第一半导体器件未到达所述报废值P(t)时，返回步骤b；当所述第一半导体器件到达所述报废值P(t)时停止对所述第一半导体器件施加应力，进入步骤d；d：选取对于最晚到达所述报废值P(t)的第一半导体器件所施加的改善负偏压下温度不稳定性效应的工艺为所述多个工艺中的最优工艺；其中，所述报废值P(t)＝ΔT(t)/T，T为在所述步骤a之后对所述第一半导体器件立即测量的参考参数的值，ΔT(t)为在所述步骤b后对所述第一半导体器件测量的参考参数的值T’与T的差值。