[发明专利]电刷镀制备太阳能电池阵列电极的方法有效
申请号: | 201010118152.3 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN101789468A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 莫烨强;黄启明;吴飞;黄美玲;李伟善 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;C25D5/06 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 杨晓松 |
地址: | 510630*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种用电刷镀制备硅太阳能电池阵列电极的方法。该方法包括步骤:(1)保护膜涂覆;(2)激光刻槽;(3)表面活化处理;(4)电刷镀;采用常规电镀电源,利用电源负极连接经过前处理的硅半导体,电源正极连接浸满镀液的镀笔,开启电源,将镀笔在经过前处理的硅半导体的表面进行电刷镀;所述镀笔为移动镀笔或象形镀笔;(5)保护膜退除。本发明采用电刷镀生产效率明显提高,即在较短的时间内实现阵列电极的制备,而且制得的电极均匀,光亮,同时电镀槽液容易维护;电极与基体结合强度高,镀层结合力高,减少了基体与导电线之间的接触电阻;自动化程度好,镀速快,工艺操作简单,易掌握,成本相对较低,效率高,所需工装设备少。 | ||
搜索关键词: | 电刷 制备 太阳能电池 阵列 电极 方法 | ||
【主权项】:
一种用电刷镀制备硅太阳能电池阵列电极的方法,其特征在于包括以下操作步骤:(1)保护膜涂覆:在涂有减反射层的硅半导体的表面涂覆一层保护膜;所述硅半导体具有p/n结;(2)激光刻槽:在涂覆了保护膜的硅半导体的表面上通过激光刻出阵列凹槽;(3)表面活化处理:将刻了阵列凹槽的硅半导体通过表面活性剂清洗后,在含F-酸溶液或者氢氧化物溶液中对凹槽进行活化,得到经过前处理的硅半导体;(4)电刷镀:采用常规电镀电源,利用电源负极连接经过前处理的硅半导体,电源正极连接浸满镀液的镀笔,开启电源,将镀笔在经过前处理的硅半导体的表面以电流密度为1~4A/dm2的条件下进行电刷镀;所述镀笔为移动镀笔或象形镀笔;(5)保护膜退除:将电刷镀完成后的硅半导体在有机溶剂中浸泡,去掉覆盖在极板表面的保护膜,清洗,烘干,得到硅太阳能电池阵列电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的