[发明专利]电刷镀制备太阳能电池阵列电极的方法有效

专利信息
申请号: 201010118152.3 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN101789468A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 莫烨强;黄启明;吴飞;黄美玲;李伟善 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;C25D5/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 杨晓松
地址: 510630*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用电刷镀制备硅太阳能电池阵列电极的方法。该方法包括步骤:(1)保护膜涂覆;(2)激光刻槽;(3)表面活化处理;(4)电刷镀;采用常规电镀电源,利用电源负极连接经过前处理的硅半导体,电源正极连接浸满镀液的镀笔,开启电源,将镀笔在经过前处理的硅半导体的表面进行电刷镀;所述镀笔为移动镀笔或象形镀笔;(5)保护膜退除。本发明采用电刷镀生产效率明显提高,即在较短的时间内实现阵列电极的制备,而且制得的电极均匀,光亮,同时电镀槽液容易维护;电极与基体结合强度高,镀层结合力高,减少了基体与导电线之间的接触电阻;自动化程度好,镀速快,工艺操作简单,易掌握,成本相对较低,效率高,所需工装设备少。
搜索关键词: 电刷 制备 太阳能电池 阵列 电极 方法
【主权项】:
一种用电刷镀制备硅太阳能电池阵列电极的方法,其特征在于包括以下操作步骤:(1)保护膜涂覆:在涂有减反射层的硅半导体的表面涂覆一层保护膜;所述硅半导体具有p/n结;(2)激光刻槽:在涂覆了保护膜的硅半导体的表面上通过激光刻出阵列凹槽;(3)表面活化处理:将刻了阵列凹槽的硅半导体通过表面活性剂清洗后,在含F-酸溶液或者氢氧化物溶液中对凹槽进行活化,得到经过前处理的硅半导体;(4)电刷镀:采用常规电镀电源,利用电源负极连接经过前处理的硅半导体,电源正极连接浸满镀液的镀笔,开启电源,将镀笔在经过前处理的硅半导体的表面以电流密度为1~4A/dm2的条件下进行电刷镀;所述镀笔为移动镀笔或象形镀笔;(5)保护膜退除:将电刷镀完成后的硅半导体在有机溶剂中浸泡,去掉覆盖在极板表面的保护膜,清洗,烘干,得到硅太阳能电池阵列电极。
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