[发明专利]具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010118523.8 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101840941A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 谭新玉;章晓中;王集敏;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/04;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于新能源中薄膜太阳能电池及光电器件材料技术领域的具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法。在n型Si基片上依次设有氧化铝层和掺杂铁的碳层，形成具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料。该材料具有性能优越，价格低廉，是一种优异的可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件。采用激光脉冲沉积方法制备该薄膜，在制备过程中，不使用任何有毒易燃易爆物质。这种光电薄膜在室温，100mW/cm2(AM 1.5)的模拟太阳光源照射下，器件的开路电压达到436mV、短路电流为14mA/cm2、填充因子在33％以上。同时，当测试电压为1V左右的条件时，薄膜的光电导变化可以达到400倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 有光 电导 效应 掺铁碳 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料，其特征在于：在n型Si基片上依次设有氧化铝层和掺杂铁的碳层，形成具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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