[发明专利]多模全差分放大器有效
| 申请号： | 201010118766.1 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101771388A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王勇;胡少坚;周伟;陈寿面;赵宇航 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多模全差分放大器，所述放大器包括相互并联的第一电路和第二电路，所述第一电路包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管和所述第五晶体管并联后和所述第一晶体管串联；所述第二电路包括第二晶体管、第四晶体管和第六晶体管，所述第四晶体管和所述第六晶体管并联后和所述第二晶体管串联；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的基区掺杂材料为锗，本发明提供的放大器中的晶体管基极采用锗掺杂，结构为全差分结构，加入多模切换电路，从而实现了低噪声放大应用。 | ||
| 搜索关键词： | 多模全 差分放大器 | ||
【主权项】：
一种多模全差分放大器，所述放大器包括相互并联的第一电路和第二电路，所述第一电路包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管和所述第五晶体管并联后和所述第一晶体管串联；所述第二电路包括第二晶体管、第四晶体管和第六晶体管，所述第四晶体管和所述第六晶体管并联后和所述第二晶体管串联；其特征在于：所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的基区掺杂材料为锗。
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