[发明专利]绿色晶体管有效
| 申请号： | 201010118815.1 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102194860A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 季明华;三重野文健;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/735;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了多种绿色晶体管，其中一种绿色晶体管为横向扩散型晶体管，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底内且与其掺杂类型相反的漂移区；形成于漂移区表面的栅极；形成于栅极两侧漂移区内的源极以及漏极；所述源极部分位于栅极一侧下方的漂移区内；还包括口袋注入区，位于栅极底部源极一侧，且与源极具有重叠区域；所述口袋注入区的掺杂类型与漏极以及漂移区相同，且与源极相反。本发明提供的绿色晶体管，与现有的绿色晶体管相比，能够承受较大的工作电压，提供较大的工作电流，具有较强的驱动能力，适于大功率器件的制作。且与现有的CMOS工艺相兼容，易于生产制造，具有实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绿色晶体管，其特征在于，所述绿色晶体管为横向扩散型晶体管，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底内且与其掺杂类型相反的漂移区；形成于漂移区表面的栅极；形成于栅极两侧漂移区内的源极以及漏极，所述源极部分位于栅极一侧下方；还包括口袋注入区，位于栅极底部源极一侧，且与源极具有重叠区域；所述口袋注入区的掺杂类型与漏极以及漂移区相同，且与源极相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010118815.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
