[发明专利]蒸镀ITO的方法有效
| 申请号： | 201010120594.1 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102194956A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李士涛;郝茂盛;袁根如;陈诚 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;C23C14/30;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蒸镀ITO的方法，其首先将待蒸镀ITO的半导体结构放置在承片盘上，抽真空至电子束蒸镀机腔体真空度达5×10-6Torr以上后，再使所述承片盘开始转动，并对其进行加热至预设温度后稳定10-30min，然后开启氧气阀门，待氧流量稳定在预设流量时开始对所述半导体结构进行预镀，预镀时间为1-5min，最后以预设的蒸镀速率开始蒸镀ITO，使所述半导体结构上蒸镀出预设厚度的ITO，可见，本发明蒸镀ITO的方法是通过控制氧流量、蒸镀温度、ITO厚度、蒸镀速率来控制ITO阻值，同时保持较高的透光率，使ITO阻值与外延GaN层相匹配，从而使电流扩展更均匀，可有效提高芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸镀 ito 方法 | ||
【主权项】：
一种蒸镀ITO的方法，其特征在于包括步骤：1)将待蒸镀ITO的半导体结构放置在承片盘上，抽真空至电子束蒸镀机腔体真空度达5×10‑6Torr以上，其中，所述半导体结构包括外延生长形成的GaN层，所述GaN层包括P‑GaN层和N‑GaN层；2)使所述承片盘开始转动，并对其进行加热且控制其加热温度至预设温度后稳定10‑30min；3)加热后再开启氧气阀门，且控制氧流量使氧流量稳定在预设流量时开始对所述半导体结构进行预镀，预镀时间为1‑5min；4)预镀后再控制蒸镀速率，以便以预设的蒸镀速率开始蒸镀ITO，使得所述半导体结构上蒸镀出预设厚度的ITO，所述预设厚度的ITO的阻值能与外延GaN层相匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司，未经上海蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010120594.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
