[发明专利]一种磁控溅射源及等离子体处理设备无效
| 申请号： | 201010121301.1 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102191470A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴桂龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于等离子体处理技术领域，具体公开了一种磁控溅射源，其包括靶材、设置在靶材上方的磁体单元以及磁体移动装置，所述磁体移动装置与所述磁体单元相连并可带动磁体单元中的可移动磁体在靶材上方运动，以改变磁力线的分布，进而实现靶材轰击的均匀性。此外，本发明还公开了一种包含上述磁控溅射源的等离子体处理设备。本发明提供的磁控溅射源及等离子体处理设备，能够改变靶材上各个部分所在位置上的磁场强度，并进而实现靶材轰击的均匀性及基体上薄膜沉积的均匀性，同时避免因过早更换靶材而带来的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射源，包括靶材及设置在靶材上方的磁体单元，其特征在于，还包括磁体移动装置，其与所述磁体单元相连并可带动磁体单元中的可移动磁体在靶材上方运动，以改变磁力线的分布，进而实现靶材轰击的均匀性。
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