[发明专利]一种存储器的编程方法有效
| 申请号： | 201010121436.8 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101807433A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;徐翌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的编程方法。其中，存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线。该编程方法具体包含步骤：选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与上述漏极相连的位线为漏极位线；分别从第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元，并从漏极位线输入编程电压，从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器的编程方法，所述存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线，其特征在于，所述编程方法包含步骤：a、选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，所述第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与所述第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与所述漏极相连的位线为漏极位线；b、分别从所述第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到所述第一存储单元及第二存储单元，并从所述漏极位线输入编程电压，从而对所述第一存储单元及第二存储单元进行编程。
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