[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
申请号: | 201010121580.1 | 申请日: | 2007-09-10 |
公开(公告)号: | CN101807636A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 幡俊雄 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层,所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体;金属层;第二透明导体;第一导电型氮化物半导体层;发光层;和第二导电型氮化物半导体层,所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种氮化物半导体发光元件,包括:第一透明导体;金属层;第二透明导体;第一导电型氮化物半导体层;发光层;和第二导电型氮化物半导体层,所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述第一透明导体上,所述第二透明导体的厚度比所述第一透明导体的厚度小。
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