[发明专利]可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010121968.1 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101792175A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 占金华;代鹏程 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵会祥 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料及其制备方法，属于无机材料制备技术领域。该材料的通式为(Cu2Sn)x/3Zn1-xS，其中：x为金属元素中Cu和Sn的摩尔百含量，它通过将二价铜盐、二价锡盐和二价锌盐溶于极性溶剂或非极性溶剂后，再加入硫源混合均匀，经180-280℃下加热后，取沉淀即得。该材料不含剧毒元素，有很高的环境友好性；可由储量丰富，价格低廉的原料通过绿色的方法制备，成本低，重复性好；材料的性质稳定，其禁带宽度可在3.5至0.9电子伏特之间调节。材料的形式可以是纳米颗粒，薄膜，体相材料，可应用于太阳能电池，微电子器件，环境监测，污染物处理和生物检测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 宽度 cu sn zn 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料，其特征在于，通式如下：(Cu2Sn)x/3Zn1-xS其中：x为金属元素中Cu和Sn的摩尔百分含量之和，它通过将二价铜盐、二价锡盐和二价锌盐溶于极性溶剂或非极性溶剂后，再加入硫源混合均匀，经180-280℃下加热后，取沉淀即得。
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