[发明专利]薄膜晶体管、制造方法及有机发光二极管显示装置有效
| 申请号： | 201010122246.8 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826555A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李东炫;李基龙;徐晋旭;梁泰勋;朴炳建;李吉远;马克西姆·莉萨契克;郑在琓 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基底；硅层，设置在基底上；扩散层，设置在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，设置在扩散层上；栅电极，设置在基底上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。
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