[发明专利]一种薄膜太阳电池膜系和薄膜太阳电池以及薄膜太阳电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜太阳电池膜系，该膜系包括一个由非晶硅p-i-n结和微晶硅p-i-n结串联设置的双结层p-i-n/p-i-n，所述微晶硅p-i-n结的p型微晶硅层设置于所述非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上，所述非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层，所述微晶硅p-i-n结的n型微晶硅层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N+。本发明薄膜太阳电池的膜系光电转换率高，成本低，本发明制得的薄膜太阳电池的光电转换率达10％。

主权项

一种薄膜太阳电池膜系，其特征在于，该膜系包括一个由非晶硅p-i-n结和微晶硅p-i-n结串联设置的双结层p-i-n/p-i-n，所述微晶硅p-i-n结的p型微晶硅层设置于所述非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上，所述非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+型非晶硅层，所述微晶硅p-i-n结的n型微晶硅层上设置有重掺杂的N+型微晶硅层，该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N+。