[发明专利]一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料，其组成为式①，式中：x＝0.1～0.5；y＝0.1～0.3；z＝0.001～0.01；j＝0.1～0.2；k＝0.01～0.05；w＝0.0001～0.001，成分中Ln为Sm、Nd、Y和La任一种或二种元素；Cn为Ca和Sr中的至少一种元素。制备过程为：(1)分别制备含Bi、Na、K、Ba、Ti、Ln、Cn、Si、Mn离子的溶液，按式①中给出的摩尔比例配制混合溶液：(2)按上述混合溶液∶有机单体∶交连剂＝100ml∶(6～20)g∶(0.5～8)g的比例混合，溶液中的有机单体和交连剂交联聚合得到凝胶；(3)700-800℃煅烧1～3小时，得到陶瓷粉体；(4)粉体造粒、干压成型后在高温1200～1300℃下烧结1～2小时。该陶瓷材料具有高居里点、低电阻率的特点。[Bi0.5(Na1-xKx)0.5]y[Ba1-y-z-j]TiO3+zLn3++jCn2++kSi2++wMn(NO3)2  ①。

主权项

一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料，其特征在于，该材料的组成为式①，式中：x＝0.1～0.5；y＝0.1～0.3；z＝0.001～0.01；j＝0.1～0.2；k＝0.01～0.05；w＝0.0001～0.001，成分中Ln为Sm、Nd、Y和La任一种或二种元素；Cn为Ca和Sr中的至少一种元素；[Bi0.5(Na1-xKx)0.5]y[Ba1-y-z-j]TiO3+zLn3++jCn2++k Si2++wMn(NO3)2   ①。