[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010123344.3 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194944A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明揭示一发光二极管及其制造方法。该方法包含提供一基材；形成一缓冲层于此基材上；形成一氮化镓层于前述缓冲层上；低温形成一粗化层于前述氮化镓层上；形成一磊晶层于前述粗化层上，其中磊晶层材料之折射率大于粗化层材料之折射率。其方法主要为提高发光二极管之出光率及改善磊晶质量，且在同一个MOCVD反应器中即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管组件之制造方法，包含：提供一基材；形成一缓冲层于该基板上；形成一粗化层于该缓冲层上；形成一磊晶层于该粗化层上；其特征在于上述步骤皆在一反应炉中完成。
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