[发明专利]晶体硅太阳电池背点接触结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池背点接触结构的制备方法，具体是指对已制备好绒面结构和P-N结的清洗后的样品背表面用丝网印刷制备光刻胶点列阵，而后用真空镀膜或PECVD的方法制备SiO2钝化膜，并用碱溶液去除光刻胶点列阵，从而形成背点接触结构。在具有该结构的衬底上制备铝电极后，在该点列阵处实现载流子收集和导出。本发明的制备方法的优点是：将激光烧蚀形成的背点接触结构列阵图形改为用丝网印刷的方法，具有成本低廉、适合于批量生产、同时对硅衬底无明显损伤。同时，背表面处155nm厚的SiO2膜能够与铝背电极界面处形成在近红外光线漫射状态下的最高反射，从而提高了晶体硅电池的转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池背点接触结构的制备方法，其特征在于具体制备步骤如下：A.根据所设计的晶体硅太阳能电池结构，确定电池背点接触结构的样式，即点列阵的密度和导电的接触点的大小；B.根据该样式制作丝网印刷用的网板；C.对已制备好绒面结构和P-N结的清洗后的样品背表面印刷光刻胶点列阵图形，接着对光刻胶点列阵图形进行加热固化，固化温度在100-200℃之间；D.将步骤C所得到的有光刻胶点列阵的样品表面，用真空热蒸发或等离子体气相化学沉积的方法制备SiO2钝化膜，其厚度为155nm；E.将步骤D所得到的有光刻胶点列阵和钝化膜的样品表面用去胶液洗去光刻胶点列阵，使在点列阵处暴露晶体硅衬底；F.将步骤E所得到的样品经漂洗、甩干后，用常规工艺方法完成后续上表面减反射膜和上、背表面铝电极丝网印刷及烧结工艺，最终得到完整的电池结构。