[发明专利]晶体硅存储器制作方法有效
| 申请号： | 201010123665.3 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101800198A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅存储器制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长衬垫氧化层和纳米晶体硅层；在所述纳米晶体硅层上依次生长顶部氧化层和氮化硅层；进行刻蚀处理，使得所述衬底露出第一区域和第二区域；在所述第一区域生长高压栅氧层；去除所述氮化硅层；在所述第二区域生长低压栅氧层；生长晶体硅层并进行刻蚀处理，使得所述高压栅氧层、所述顶部氧化层和所述低压栅氧层上的所述晶体硅层之间相互隔离，本发明晶体硅存储器制作方法简化了制作晶体硅存储器的流程，节约了时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅存储器制作方法，其特征在于包括以下步骤：在衬底上依次生长衬垫氧化层和纳米晶体硅层；在所述纳米晶体硅层上依次生长顶部氧化层和氮化硅层；进行刻蚀处理，使得所述衬底露出第一区域和第二区域；在所述第一区域生长高压栅氧层；去除所述氮化硅层；在所述第二区域生长低压栅氧层；生长晶体硅层并进行刻蚀处理，使得所述高压栅氧层、所述顶部氧化层和所述低压栅氧层上的所述晶体硅层之间相互隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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