[发明专利]平板裂缝天线MCM+MOM导纳误差分析法

摘要

本发明提出的一种平板裂缝天线MCM+MOM导纳误差分析法，主要包括：采用矩量法建立辐射缝导纳与导纳测试件各结构参数误差项之间关系的误差分析数学模型；选用rooftop基函数[1]和矩形脉冲校验函数，在缝隙的上下两个面上建立场积分方程并转化成矩阵形式，求解缝隙的场分布和波导端口的反射系数S11[2]，再根据导纳与反射系数的关系y＝-2S11/(1+S11)求出缝隙的导纳y，通过六个结构参数误差的函数，计算机编程实现所建立的数学模型；提出合适的加工误差指标；用MCM对测试仪器的误差进行分析，得到测试误差对导纳影响的统计结果。本发明相比于现有技术更方便、快捷、准确，速度比有限元法更快，效率更高。

主权项

一种平板裂缝天线MCM+MOM导纳误差分析法，其特征在于包括如下步骤：(1)采用矩量法(MOM)建立辐射缝导纳与导纳测试件各结构参数误差项之间关系的误差分析数学模型；(2)选用rooftop基函数[1]和矩形脉冲校验函数，利用磁场的连续性，在缝隙的上下两个面上建立场积分方程，并将积分方程转化成矩阵的形式，求解得到缝隙的场分布和波导端口的反射系数S11[2]，再根据导纳与反射系数的关系式y＝-2S11/(1+S11)求得缝隙的导纳y，导纳值y关于波导的长宽分别为a和b，波导的壁厚为t，缝长为2l，缝宽为w，以及缝隙偏离波导中心线的位置式偏置为δ，通过上述六个结构参数误差的函数，建立完成数学模型；(3)计算机编程实现步骤(1)中的数学模型；(4)将上述波导和缝隙的结构参数误差项看作是服从某种概率分布的随机变量，并对这些变量进行抽样；(5)将上述抽样值代入误差的数学模型程序中进行统计计算，然后根据步骤(4)中的计算结果，提出合适的加工误差指标；(6)用MCM对测试仪器的误差进行分析，测试仪器的误差即是散射参数S参数的测试误差；将散射参数S参数的幅度和相位误差，看作是服从某种概率分布的随机变量，对其进行抽样计算，得到测试误差对导纳影响的统计结果；(7)在上述步骤(6)的实验法中，提出辐射缝导纳的总误差。