[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010124506.5 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194750A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/318;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，其包括NMOS区域和PMOS区域，该NMOS区域和PMOS区域上分别沉积有第一金属层和第二金属层，该方法包括：在NMOS区域和PMOS区域的上方沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层的上方沉积张应力层；去除所述PMOS区域的张应力层和所述PMOS区域至少部分第一阻挡层；在所述NMOS区域和PMOS区域的上方沉积压应力层；去除所述NMOS区域的压应力层，得到包括具有压应力层的PMOS区域和具有张应力层的NMOS区域的互补型金属氧化物半导体器件。本发明的方法可以有效地防止CMOS器件的金属层在刻蚀应力层的时候产生表面缺陷，并可以提高了制备半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 互补 金属 氧化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，所述互补型金属氧化物半导体器件包括NMOS区域和PMOS区域，该NMOS区域和PMOS区域上分别沉积有第一金属层和第二金属层，所述方法包括：在NMOS区域和PMOS区域的上方沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层的上方沉积张应力层；去除所述PMOS区域的张应力层和所述PMOS区域至少部分的第一阻挡层；在所述NMOS区域和所述PMOS区域的上方沉积压应力层；去除所述NMOS区域的压应力层，得到包括具有压应力层的PMOS区域和具有张应力层的NMOS区域的互补型金属氧化物半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
