[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010124554.4 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194751A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件(CMOS器件)的方法，所述CMOS器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述CMOS器件。采用本发明的方法不会在该张应力层上残余氧化层，简化了制备具有应力层的CMOS器件的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 互补 金属 氧化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，其中，所述互补型金属氧化物半导体器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成有具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层上方和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀所述NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当所述信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述互补型金属氧化物半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
