[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010124748.4 申请日: 2010-02-05
公开(公告)号: CN101826454A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 村田通博 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;徐予红
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置的制造方法。对晶片上进行分割曝光的方法,其中,在晶片外周部的镜头的场合,使镜头移动到能够对全部焦点进行焦点校正处理的位置后进行焦点校正处理,利用标线片遮掩对与相邻的曝光区域重叠的部分进行遮光,仅对标线片遮掩开口区域进行曝光。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括对晶片上进行分割曝光的方法,其特征在于包括:在前镜头曝光结束后判断下一镜头的区域内的全部焦点检测位置是否在晶片上的工序;当所述全部焦点检测位置中至少1个焦点检测位置不在晶片上时,将镜头移动至能够对所述下一镜头内的所述全部焦点检测位置进行焦点校正处理的位置的工序;在移动后的镜头中进行焦点偏移检测及焦点校正处理的工序;利用标线片遮掩对与相邻的曝光区域重叠的区域进行遮光的工序;以及隔着被所述标线片遮掩包围的开口区域对第一小曝光区域进行曝光的工序。
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