[发明专利]MOS-栅功率半导体器件有效
| 申请号： | 201010125227.0 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102024814A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吴侊勋;秋秉镐;金秀圣;尹钟晚 | 申请（专利权）人： | 特瑞诺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种MOS-栅功率半导体器件包括：有源区和边缘端接区的主器件区；以及水平地形成在所述主器件区外部以包括一个或多个二极管的辅助器件区。因此，能够保护电路免于出现过载电流，从而能够防止由所述过载电流造成的器件的劣化和/或毁坏。 | ||
| 搜索关键词： | mos 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种MOS‑栅功率半导体器件，包括：主器件区，该主器件区包括有源区和边缘端接区；以及辅助器件区，水平地形成在所述主器件区的外部以便包括一个或多个二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
