[发明专利]用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法无效
| 申请号： | 201010125922.7 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101814449A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | G·布伦宁格;K·格林德尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及在利用红外发射器加热的对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片的错误位置的方法，其中半导体晶片位于旋转的基座的圆形凹槽内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片的位置错误。在此，高温计的取向使得由高温计检测的测量斑部分地位于半导体晶片上并且部分地位于半导体晶片以外的基座上。以此方式可以鉴别半导体晶片在基座的凹槽内的偏心位置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 鉴别 半导体 晶片 热处理 期间 错误 位置 方法 | ||
【主权项】：
在利用红外发射器加热且对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片(1)的错误位置的方法，其中半导体晶片(1)位于旋转的基座(2)的圆形凹槽(3)内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计(7)测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片(1)的位置错误，其特征在于，高温计(7)的取向使得由高温计(7)检测的测量斑(6)部分地位于半导体晶片(1)上并且部分地位于半导体晶片(1)以外的基座(2)上，而该错误位置是基座(2)的凹槽(3)内的偏心位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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