[发明专利]碳纳米管场效应晶体管半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010126255.4 | 申请日： | 2003-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101807668A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 乔尔格·阿彭泽勒;佩登·阿沃里斯;凯文·K·钱;菲利普·G·科林斯;理查德·马特尔;汉森·P·黄 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开碳纳米管场效应晶体管半导体器件及其制造方法。本发明提供一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。本发明还提供该碳纳米管场效应晶体管半导体器件的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括：沉积在衬底上的碳纳米管；形成在该碳纳米管的第一端的源极；形成在该碳纳米管的第二端的漏极；以及形成在该碳纳米管的一部分上，通过介电膜与该碳纳米管隔开的栅极，其中该栅极包围在该介电膜和该碳纳米管周围，从而与该介电膜和该碳纳米管的叠层的背侧接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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