[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法，其不太使制造工序数增加，就能容易地制造可以得到所希望的耐电压特性的杂质浓度范围大的JTE区域。该方法包含：在第一导电型的碳化硅晶片的表面内，对作为第一杂质的铝和作为第二杂质的硼进行离子注入，形成具有规定间隔的第二导电型的第一区域的工序；通过活性化退火处理使在第一区域中包含的作为第二杂质的硼向周围扩散，在碳化硅晶片的表面内从第一区域形成JTE区域的工序；在相当于包含第一区域的一部分的第一区域之间的碳化硅晶片的表面上形成第一电极的工序；以及在碳化硅晶片的背面上形成第二电极的工序。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其中，具备：在第一导电型的碳化硅晶片的表面内，对在活性化退火处理中不扩散而在所述碳化硅晶片内成为第二导电型的第一杂质、和在活性化退火处理中扩散而在所述碳化硅晶片内成为第二导电型的第二杂质进行离子注入，形成具有规定间隔的第二导电型的第一区域的工序；通过活性化退火处理使在所述第一区域中包含的所述第二杂质向周围扩散，在所述碳化硅晶片的表面内从所述第一区域形成JTE区域的工序；在相当于包含所述第一区域的一部分的所述第一区域之间的所述碳化硅晶片的表面上形成第一电极的工序；以及在所述碳化硅晶片的背面上形成第二电极的工序。