[发明专利]基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器无效
| 申请号： | 201010127829.X | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101806824A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 姜国敏;江晓清;陈瑞宜;杨建义;郝寅雷;王明华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01D3/032 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器。它基于MZ干涉结构，由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成；在两根弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层，两片磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反。把非互易相移引入MZ结构，光在两光纤干涉臂传播产生的相位差是非互易、推挽方式工作的，受周围环境等因素(如温度、应力等)产生的互易相移量通过MZ干涉结构抵消。利用磁光材料的非互易特性，结合MZ结构的干涉特性，通过对结构参数的优化，可以实现高稳定性、高灵敏度的电流探测。本发明具有结构通俗，工艺简单，设计灵活，功能性强等特点，在对复杂环境下电流传感有广泛的应用前景和应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁光非互易 特性 mz 干涉 结构 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器，它基于MZ干涉结构，由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成；其特征在于：在两根弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层，两磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反。
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