[发明专利]用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法无效
| 申请号： | 201010128380.9 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101807626A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 晏磊;于丽娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳电池 gaas inp 晶片 低温 直接 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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