[发明专利]一种氮化镓基LED外延片及其生长方法

摘要

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，其结构从下至上依次为衬底、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于所述接触层为n型In_xGa_1‑xN层，或者为p型In_xGa_1‑xN层，其中x为摩尔系数，0＜x＜1。通过在接触层中加入In组分和浓度渐变的掺杂层来获得调制掺杂接触层外延结构，缓解静电对氮化镓基LED的冲击，提高LED对静电的耐受能力。按照标准芯片工艺制作成300×300μm²的芯片，其反向4000V的ESD良品率为90％以上。

主权项

一种氮化镓基LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，所述接触层为n型In_xGa_1‑xN层或者为p型In_xGa_1‑xN层；其特征在于所述n型In_xGa_1‑xN层包括低In组分的低摻杂n型In_xGa_1‑xN层和高In组分的高摻杂n型In_xGa_1‑xN层；其中，所述低In组分的低摻杂n型In_xGa_1‑xN层厚度为1～5nm，选用Si作为n型掺杂，浓度在1e^‑17cm^‑3～5e^‑18cm^‑3，摩尔系数x的范围为： 0.05≤x≤0.15；所述高In组分的高摻杂n型In_xGa_1‑xN层厚度为1～5nm，选用Si作为n型掺杂，浓度在5e^‑18cm^‑3～2e^‑19cm^‑3，摩尔系数x的范围为：0.1≤x≤0.25。