[发明专利]半导体制造装置无效
| 申请号： | 201010128802.2 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101834109A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 山口天和;白子贤治;平松宏朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;H01J37/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;金杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够使反应室内的等离子体密度均匀的半导体制造装置，该半导体制造装置具有处理衬底的处理室(52)、设在该处理室(52)内用于生成等离子体的等离子体室(76)、设在处理室(52)外侧的多个高频天线(84)、以及隔开规定间隔地配置在由等离子体室(76)和多个高频天线(84)夹持的位置上并将由高频天线(84)产生的电场屏蔽的屏蔽罩(90)，越趋向多个高频天线(84)的接近部(位置P)，屏蔽罩(90)的间隔越窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置，其特征在于，具有：处理衬底的处理室；设在所述处理室外侧的等离子体产生用的多个电极；以及配置在由所述处理室和所述多个电极夹持的位置上、对所述处理室内的等离子体产生密度进行调整的调整机构。
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