[发明专利]一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法

摘要

本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。

主权项

一种超细线条的制备方法，其包括如下步骤：1)在衬底上制备化学机械抛光停止层；2)淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；3)将上述多晶硅加工成条状；4)通过氧化工艺在上述条状多晶硅的顶面和两个侧面生长氧化硅；5)再次淀积一多晶硅层，以所述停止层为准，化学机械抛光多晶硅；6)在氧化硅的保护下依次干法刻蚀剩余多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅，制备出衬底材料的细线条。