[发明专利]改良正向传导的氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 201010128893.X | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101894868A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/522;H01L21/329;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个氮化镓半导体二极管包括一个衬底、一个半导体本体包括一个第一重掺杂GaN层和第二轻掺杂GaN层。半导体本体还包括一个台面结构的图案从下表面中向上伸出，并且每个台面结构都含有第二GaN层和一部分第一GaN层。肖特基接触形成在台面结构的上表面上，欧姆接触形成在台面结构的下表面上。在肖特基和欧姆接触上方，形成一个绝缘层，并在绝缘层中形成用于肖特基和欧姆接触的通孔。第一金属焊盘形成在第三金属层中，位于肖特基接触的通孔上方，作为阳极电极。第二金属焊盘形成在第三金属层中，位于欧姆接触的通孔上方，作为阴极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 正向 传导 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体二极管，包括：一个衬底；一个半导体本体包括一个形成在衬底上的第一导电类型的第一GaN层，一个形成在第一GaN层上的第一导电类型的第二GaN层，其中第二GaN层的掺杂浓度低于第一GaN层，半导体本体还包括数个台面结构从一下表面中向上伸出，部分下表面延伸到第一GaN层，并且每个台面结构都含有第二GaN层和一部分第一GaN层；一个在台面结构的上表面形成的第一金属层，和第二GaN层一同形成一个肖特基结；一个在下表面形成的第二金属层，用于和第一GaN层形成欧姆接触；一个在第一和第二金属层上方形成的绝缘层；第一套在绝缘层中形成的通孔，以便为第一金属层形成开口，在开口中用通孔金属填充第一套通孔；第二套在绝缘层中形成的通孔，以便为第二金属层形成开口，在开口中用通孔金属填充第二套通孔；一个在绝缘层上方的第三金属层中形成的第一金属焊盘，位于第一套通孔上方，作为一个阳极电极；以及一个在第三金属层中形成的第二金属焊盘，位于第二套通孔上方，作为一个阴极电极。
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