[发明专利]氮化镓异质结肖特基二极管有效
| 申请号： | 201010128896.3 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101840938A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种氮化镓半导体二极管，包括一个衬底、一个形成在衬底上的GaN层、一个形成在GaN层上的AlGaN层，其中GaN层和AlGaN层构成二极管的阴极区、一个形成的在AlGaN层上的金属层，一同构成一个肖特基结，金属层作为二极管的阳极电极，以及一个形成在AlGaN层的顶部表面中的高势垒区，并位于金属层的一个边缘下方。高势垒区的带隙能量高于AlGaN层，或高势垒区的电阻率比AlGaN层更大。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓异质结肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体二极管，包括：一个衬底；一个形成在衬底上的GaN层；一个形成在GaN层上的AlGaN层，GaN层和AlGaN层构成二极管的阴极区；一个形成的在AlGaN层上的金属层，一同构成一个肖特基结，金属层作为二极管的阳极电极；一个形成在AlGaN层的顶部表面中的高势垒区，位于金属层的一个边缘下方，高势垒区的带隙能量高于AlGaN层，或高势垒区的电阻率比AlGaN层更大。
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