[发明专利]功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法有效
| 申请号： | 201010128901.0 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102192850A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 余萍;洪春雷;范启义 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01Q30/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法，通过使用质量百分比浓度为49％的HF溶液和质量百分比浓度为70％的HNO3溶液以1∶300～5∶100的体积配比制成轮廓显现溶液，并将待测样品在该轮廓显现溶液中浸泡预定的时间，该轮廓显现溶液与N+区域反应而对P+区域损伤较少，从而清晰地显现了功率MOS中ESD PN结的轮廓。此外，该轮廓显现方法简单而容易操作，且能提供带有较少损伤的轮廓，以便于器件的后续SEM分析。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos esd pn 轮廓 显现 溶液 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液，其特征在于，包括质量百分比浓度为49％的HF溶液和质量百分比浓度为70％的HNO3溶液，所述HF溶液和所述HNO3溶液的体积配比范围为1∶300～5∶100。
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