[发明专利]CMOS图像传感器的像素结构及其制造方法

摘要

CMOS图像传感器，包括晶体管和光电二极管，该晶体管包括：依次位于外延薄膜表面的栅介质层和栅极以及位于栅介质层和栅极两侧的侧壁；位于所述栅极一侧外延薄膜内的掺杂阱且所述掺杂阱包围所述相邻隔离结构；位于栅极、侧壁一侧的所述掺杂阱内的重掺杂区；位于栅极下方的外延薄膜内的阈值电压调节区，与所述掺杂阱相邻；该光电二极管包括：位于外延薄膜内的深掺杂区，其与邻近隔离结构具有距离，深度大于阈值电压调节区且与之部分重叠；位于所述外延薄膜内与深掺杂区导电类型相反的浅掺杂区，深度小于深掺杂区且与隔离结构以及阈值电压调节区相邻。本发明减小图像传感器的残像，适用于亚微米层次的制造工艺、具有较小漏电流且制造工艺简单。

主权项

一种CMOS图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底、位于衬底上方的外延薄膜、位于所述外延薄膜内的隔离结构、位于所述隔离结构之间的外延薄膜内的MOS晶体管以及与所述MOS晶体管相邻的光电二极管，其特征在于，所述MOS晶体管包括：依次位于外延薄膜表面的栅介质层和栅极以及位于栅介质层和栅极两侧的侧壁；位于所述栅极一侧的外延薄膜内的掺杂阱，且所述掺杂阱包围所述相邻隔离结构；位于栅极、侧壁一侧的所述掺杂阱内的重掺杂区；位于栅极下方的外延薄膜内的阈值电压调节区，与所述掺杂阱相邻；所述光电二极管包括：位于所述外延薄膜内的深掺杂区，所述深掺杂区与邻近隔离结构具有距离，深掺杂区深度大于阈值电压调节区且与之部分重叠；位于所述外延薄膜内与深掺杂区导电类型相反的浅掺杂区，深度小于深掺杂区，且与隔离结构以及阈值电压调节区相邻。