[发明专利]n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法无效
| 申请号： | 201010128998.5 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102195234A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;梁红伟;夏晓川;赵旺 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1，p型GaN外延层2，外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5，电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4，上电极6等部件构成，其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8，n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7，再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔，可以提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | zno gan 组合 垂直 发射 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器，由衬底(1)，p型GaN外延层(2)，外延层(2)上制备的相互分立的电流下限制层(3)和下电极(5)，电流下限制层(3)上制备的n型ZnO基材料发光层(4)，上电极(6)等部件构成，其特征是在衬底(1)和p型GaN外延层(2)之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜(8)，n型ZnO发光层(4)上面制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层(7)，再在电流上限制层(7)上制备相互分立的上电极(6)和多层介质薄膜DBR上反射镜(9)。
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