[发明专利]固态摄像器件及其制造方法和电子设备无效
| 申请号： | 201010129481.8 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101826542A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 中山创 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和电子设备。所述固态摄像器件包括：设置在衬底的摄像面上的多个光电转换单元；和与所述多个光电转换单元各个对应地设置在所述光电转换单元上侧、并形成为在朝向所述光电转换单元的方向上呈突出形状的多个内层透镜，其中，所述多个内层透镜各自形成为在所述摄像面的中心和周缘具有不同的透镜形状。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种固态摄像器件，包括：设置在衬底的摄像面上的多个光电转换单元；和多个内层透镜，与所述多个光电转换单元各个对应地设置在所述光电转换单元的上侧，并且形成为沿朝向所述光电转换单元的方向突出的形状，其中，所述多个内层透镜各自形成为在所述摄像面的中心和周缘具有不同的透镜形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
