[发明专利]一种实现太阳能电池选择性发射极的方法有效
| 申请号： | 201010129507.9 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101794844A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，具有如下步骤：a、在太阳能电池片上采用重扩散；b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。本发明操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 太阳能电池 选择性 发射极 方法 | ||
【主权项】：
一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有太阳能电池片，太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域，其特征在于：具有如下步骤：a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散区；b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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