[发明专利]一种在非平整衬底表面制备纳米结构基质的方法无效
| 申请号： | 201010129612.2 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101813884A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡洪冰;张琨;于欣欣;王晓平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 230026 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在非平整衬底表面制备纳米结构基质的方法。该方法，包括如下步骤：1)在衬底上涂覆光刻胶的有机溶液并烘干，得到烘干后的光刻胶；2)将所述烘干后的光刻胶依次进行曝光、显影和定影，得到掩膜板；3)在pH值为11-14的条件下，将所述掩膜板水解，得到悬浮的掩膜板，洗净；4)用具有非平整表面的衬底捞起所述悬浮的掩膜板，烘干，沉积目标材料；5)去掉所述掩膜板，在所述具有非平整表面的衬底得到所述纳米结构基质。本发明利用PMMA薄膜的柔韧性将其作为软掩膜板和目标非平整表面的衬底紧密结合，在通过沉积指定的纳米材料，即可以在非平整表面得衬底上得到预先设计的指定材质的纳米结构，且此PMMA软掩膜板仍然可以重复使用。 | ||
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【主权项】：
一种在非平整衬底表面制备纳米结构基质的方法，包括如下步骤：1)在衬底上涂覆光刻胶的有机溶液并烘干，得到烘干后的光刻胶；2)将所述烘干后的光刻胶依次进行曝光、显影和定影，得到掩膜板；3)在pH值为11-14的条件下，将所述掩膜板水解，得到悬浮的掩膜板，洗净；4)用具有非平整表面的衬底捞起所述悬浮的掩膜板，烘干，沉积目标材料；5)去掉所述掩膜板，在所述具有非平整表面的衬底得到所述纳米结构基质。
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