[发明专利]一种太阳能硅片的表面清洗方法无效

专利信息
申请号: 201010129811.3 申请日: 2010-03-22
公开(公告)号: CN101817006A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 郜勇军;方建和;柴宏峰 申请(专利权)人: 浙江矽盛电子有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 舒良
地址: 324300 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种太阳能硅片的表面清洗方法,该方法在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后,先在浓度为1~3%的氢氟酸溶液中浸泡,接着采用纯水漂洗,接着放在浓度为1~3%的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡,然后又采用纯水漂洗,之后又在浓度为1~3%的硅片清洗剂中采用超声波清洗,接着再经多次纯水超声波漂洗后,最后放入温度保持在45~70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。采用本发明方法,由于采用了酸液浸泡,并导入纯净压缩空气鼓泡,使太阳能硅片表面的金属粘污物及切割溶液迅速分解剥离,大大增加了硅片表面清洁度,从而提高了太阳能硅片制绒的成品率及质量。
搜索关键词: 一种 太阳能 硅片 表面 清洗 方法
【主权项】:
一种太阳能硅片的表面清洗方法,其特征在于在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后,先在浓度为1~3%的氢氟酸溶液中浸泡,接着采用纯水漂洗,接着放在浓度为1~3%的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡,然后又采用纯水漂洗,之后又在浓度为1~3%的硅片清洗剂中采用超声波清洗,接着再经多次纯水超声波漂洗后,最后放入温度保持在45~70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。
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