[发明专利]固态图像拍摄设备及其制造方法有效
申请号: | 201010129995.3 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN101826543A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 山口晋平 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像拍摄设备及其制备方法。该固态图像拍摄设备包括半导体衬底、光电转换器、转移栅极、绝缘层、第一硅层和像素晶体管部分。光电转换器将入射光的光能转换成电能,并且获得信号电荷。光电转换器形成在半导体衬底中的表面侧。转移栅极读取来自光电转换器的信号电荷,并且转移栅极形成在半导体衬底上邻近于光电转换器。绝缘层形成在半导体衬底中的光电转换器上。第一硅层形成在绝缘层上。像素晶体管部分放大且输出由转移栅极读取的信号电荷。像素晶体管部分以第一硅层作为有源区形成在绝缘层上。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拍摄 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固态图像拍摄设备,包括:半导体衬底;光电转换器,将入射光的光能转换成电能并获得信号电荷,所述光电转换器形成在所述半导体衬底的表面侧;转移栅极,从所述光电转换器读取所述信号电荷,所述转移栅极形成在所述半导体衬底上邻近于所述光电转换器;绝缘层,形成在所述半导体衬底中的所述光电转换器上;第一硅层,形成在所述绝缘层上;以及像素晶体管部分,放大且输出由所述转移栅极读取的所述信号电荷,所述像素晶体管部分以所述第一硅层作为有源区形成在所述绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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