[发明专利]晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201010130038.2 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101840937A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎;乡户宏充;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置硅层，而且在该硅层上形成杂质半导体层，并且设置电连接于该杂质半导体层的源电极层及漏电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 具有 半导体 装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层重叠于所述栅电极；所述氧化物半导体层上且接触于所述氧化物半导体层的硅层；所述硅层上的第一杂质半导体层；所述硅层上的第二杂质半导体层；电连接于所述第一杂质半导体层的源电极层；以及电连接于所述第二杂质半导体层的漏电极层。
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