[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010130111.6 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN101834408A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 前田修;增井勇志;汐先政贵;佐藤进;荒木田孝博 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01S5/187 分类号: H01S5/187;H01S5/343
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构,该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜,其中,层叠结构包括柱形台面部,该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜,且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层,该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
搜索关键词: 半导体激光器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体激光器,包括:层叠结构,包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜;其中所述层叠结构包括柱形台面部,所述柱形台面部包含所述下多层反射镜的上部、所述有源层和所述上多层反射镜;且所述下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层,所述多个氧化层在除了一个或多个所述低折射率层的中心区域之外的区域中不均匀地分布在围绕所述台面部的中心轴旋转的方向上。
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