[发明专利]用空气形成图形衬底的高效率发光二极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010130149.3 申请日: 2010-03-22
公开(公告)号: CN101807646A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 徐瑾;杨辉 申请(专利权)人: 徐瑾;杨辉
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20
代理公司: 杭州赛科专利代理事务所 33230 代理人: 陈辉
地址: 430223 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及用空气形成图形衬底的高效率发光二极管,其特征在于依次包括:衬底、衬底上空气形成的空洞及空洞上方GaN基发光二极管,用空气形成图形衬底的高效率发光二极管制备方法,其步骤为:1)在衬底上用高熔点材料制备一层薄膜;2)通过光刻,刻蚀在衬底上用高熔点材料制备图形;3)在图形衬底上制作GaN基发光二极管外延层;4)放入腐蚀溶液,通过侧向腐蚀去除GaN外延层下面的高熔点材料,形成空洞;5)制作发光二极管芯片。本发明的优点是:用空气形成的图形衬底,反射率会更高;整个工艺过程比较简单,容易控制,适用于大规模的商业生产。
搜索关键词: 空气 形成 图形 衬底 高效率 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
用空气形成图形衬底的高效率发光二极管,其特征在于依次包括:衬底、衬底上空气形成的空洞及空洞上方GaN基发光二极管。
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