[发明专利]半导体元件的制程方法无效
| 申请号： | 201010130563.4 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101834222A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈永芳;王嘉庆;吴孟修;林思佑;戴煜暐 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 文琦;陈波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制程方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；清洗半导体基板；将半导体基板的第一表面进行结构化处理；将半导体基板的第一表面进行扩散；涂布一抗反射层在半导体基板的第一表面上；形成至少一电极层在半导体基板的第一表面上并构成一半导体元件；以及提供可改变气体的环境，致使气体原子或离子可与半导体元件表面和内部起反应，而提升光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制程方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一个半导体基板；清洗所述半导体基板；将所述半导体基板的一个第一表面进行结构化处理；将所述半导体基板的所述第一表面进行扩散；涂布一个抗反射层在所述半导体基板的所述第一表面上；形成至少一个电极层在所述半导体基板的所述第一表面上并构成一个半导体元件；以及提供一种可改变气体的环境，致使气体原子或离子可与所述半导体元件的表面和内部起反应，以提升光电转换效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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