[发明专利]磁性隧道结结构的制作方法有效
| 申请号： | 201010130889.7 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102201533A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MTJ单元的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的介质层；在所述介质层上依次形成包括固定磁性层、隧道阻挡层和自由转动磁性层的MTJ结构；在所述的MTJ结构上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层；在第二掩膜层的侧壁形成金属层，并退火使所述金属层沿第二掩膜层扩散；刻蚀去除金属层之间的第二掩膜层；以所述的金属层为掩膜，刻蚀第一掩膜层以及MTJ结构至半导体衬底；去除所述金属层。所述方法可以使用常规光刻设备制作小尺寸的圆环形MTJ单元。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结MTJ结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的介质层；在所述介质层上依次形成包括固定磁性层、隧道阻挡层和自由转动磁性层的MTJ结构；在所述的MTJ结构上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层；在第二掩膜层的侧壁形成金属层，并退火使所述金属层沿第二掩膜层扩散；刻蚀去除金属层之间的第二掩膜层；以所述的金属层为掩膜，刻蚀第一掩膜层以及MTJ结构至半导体衬底；去除所述金属层。
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