[发明专利]具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺有效
| 申请号： | 201010131539.2 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101807650B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 沈孟骏;郑建森;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺，先在衬底上长外延层，然后镀分布布拉格反射层，再通过光罩作业，蚀刻掉部分的分布布拉格反射层，制作导电层和P、N电极，最后清洗分割，即得氮化镓基高亮度发光二极管。本发明设有的分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可以使电流均匀地扩散，起到双重提升光输出效率的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分布 布拉格 反射层 氮化 镓基高 亮度 发光二极管 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管，包括一衬底；外延层形成于该衬底上，其中外延层由P型电极接触、发光区、N型电极接触构成；分布布拉格反射层形成于外延层上；导电层形成于外延层与分布布拉格反射层上；P电极形成于导电层上；N电极形成于N型电极接触上；其特征在于：呈单一块状连续分布的分布布拉格反射层位于P电极正下方，且分布布拉格反射层图案面积大于P电极的图案面积且小于P型电极接触的图案面积，所述分布布拉格反射层用于充分地把原本会被P电极部分吸收的光反射出来，防止光被遮光电极吸收，并充当电流阻隔层，使电流均匀地扩散，对光输出效率具有双重提升的作用。
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