[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010131820.6 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194736A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孙武;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体器件的方法，包括：a)在前端器件层上依次形成停止层、高应力覆盖层、第一介电层、第二介电层、含硅的底部抗反射涂层以及带有图案的光刻胶层；b)以光刻胶层作为掩模，刻蚀含硅的底部抗反射涂层和第二介电层，露出第一介电层的上表面；c)以含硅的底部抗反射涂层和第二介电层为掩膜，对第一介电层和高应力覆盖层进行干法刻蚀，并停止在停止层；d)通入包含氟代烃气体和氧气的反应气体，以去除含硅的残留物；以及e)对第二介电层进行剥离，形成半导体器件。根据本发明的方法能有效去除接触孔或通孔刻蚀之后器件表面残留物，使晶片表面变得平整，并提高器件的长期可靠性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，所述方法包括下列步骤：a)在前端器件层上依次形成停止层、高应力覆盖层、第一介电层、第二介电层、含硅的底部抗反射涂层以及带有图案的光刻胶层；b)以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述含硅的底部抗反射涂层和所述第二介电层，露出所述第一介电层的上表面；c)以所述含硅的底部抗反射涂层和所述第二介电层为掩膜，对第一介电层和高应力覆盖层进行干法刻蚀，并停止在所述停止层；d)通入包含氟代烃气体和氧气的反应气体，以去除含硅的残留物；以及e)对所述第二介电层进行剥离，形成半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
